Datasheet下载- 型号： IPS05N03LB G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPS05N03LB G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPS05N03LB G价格参考。InfineonIPS05N03LB G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPS05N03LB G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPS05N03LB G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IPS05N03LB G 属于功率MOSFET器件，具体为N沟道增强型场效应晶体管（FET），常用于电源管理和功率控制应用。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，适用于笔记本电脑、服务器、通信设备等需要高效能电源管理的场合。 2. 电机控制：用于小型电机驱动电路，如电动工具、家用电器中的风扇或泵类控制。 3. 负载开关：作为电子开关控制高电流负载，例如LED照明、加热元件或继电器替代方案。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池供电设备中用于充放电控制与保护电路。 5. 汽车电子：由于其具备一定的耐压和电流能力，也可用于车载电源系统或辅助设备中。 该MOSFET具有低导通电阻、快速开关特性，适用于中低功率应用，适合需要高效率与紧凑设计的电子产品。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD05N03LB_v1.8_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429f9af4275 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPS05N03LB G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 40µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 60A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
| 其它名称 | IPS05N03LBGX |
| 功率-最大值 | 94W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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